USB 5V电压通过USB接口J3 PIN 12 14 16 18脚连接到Q2 MOS管的A2 A3 B3脚，此Q2的2/2管是一个P沟道的MOS管，栅级（G1）默认为低电平导通，而图中Q2的2/2管的栅级（G1）接的是一个下拉电阻即栅级（G1）为低电平。

此时源极（S）和漏极（D1）就会导通，也就Q2的2/2管的A2 A3 B3脚与B1导通，USB的电压就会输入到R37 PIN2脚这里，此时R37就会将PIN2脚的电压输入到电源管理芯片里去，电源管理芯片就会比对R37输入的电压是不是5V。

如果是5V电压，那么电源管理芯片就会给Q3发一个高电平信号（VBUS OV）使Q3这个N沟道的MOS管的栅极（G）于高电平，从而使Q3的源极（S）和漏极（D）导通。Q3的源极和漏极导通了之后，R115的PIN 2脚和Q2的1/2管的栅级（G2）接地处于低电平，Q2的1/2管的源极（S）和漏极（D2）就会导通，这时USB的5V电压就会被输出到Q2的B2 C2 C3脚，此时R81的PIN 1脚会把在侦测的电压传送到电源管理器里。

电源管理器依然会比对这个电压看是否是5V，如果不是5V就会发出一个低电平信号（VBUS OV），此时Q3管子的栅极（G）就是低电平，而Q3是N沟道的MOS管子，栅极是低电平时源极（S）和漏极（D）就不会导通相当于断开。Q2的1/2管的栅极也就处于高电平，Q2的1/2管的源极（S）和漏极（D2）也就断开从而起到保护作用以免高于5V的电压输入到电源管理器。

而当电压输送进来时后保护电路还有第三道保护，也就是当R81的电压过高时，比如大于稳压管DZ5时，DZ5就会被击穿DZ5击穿后就相当于一条导线，也就使Q1这个三极管的集电极和基极接到了一起。

我们知道三极管子的特性，当三极管子的集电极和基极接在一起的话，此时和发射极就构成了一个二极管子（正向导通），那也就相当于一条导线直接接地了从而将高电压引向地起到保护电源管理（PMU）的功能。

iphone4的USB过压保护原理图